变温霍尔效应实验仪 型号：LK-HT-648
 

霍尔效应的测量是开展半导体研究的重要方法。本机利用计算机的数据采集和处理在80K-400K温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量，进行半导体导电机制及散射机制的研究，并可确定半导体的一些基本参数，如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。        

主要技术指标
 
1．电磁铁          0-300mT连续可调
 
2. 励磁电源       0-5A连续可调  可自动换向       稳定性﹤±0.1%
 
3. 数字特斯拉计              0-2000mT       三位半数字显示   分辨率0.001
 
4. 恒流源输出       1mA       稳定性±0.1%
 
5. 数据采集系统霍尔电压测量最小分辨率1uV
 
6. 温度变化测量范围           80-400K
 
7. 整套仪器由电磁铁系统、电源控制系统机箱、测量系统主机、恒温器四部分组成
 
8. 探头样品采用单晶锗片

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